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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 10 weeks | 风险等级： | 0.76 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 1260 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 36 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 36 A | 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 446 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 144 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFH60N50P3 | IXYS |
功能相似  |
Polar3 HiperFET Power MOSFET |
|
| IXFH36N50P | IXYS |
功能相似 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFPS3810 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id= |
|
| IRFPS3810PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFPS3815 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.015ohm, Id=105A) |
|
| IRFPS3815PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFPS38N60L | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
| IRFPS38N60LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFPS40N50L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.087ohm, Id=46A) |
|
| IRFPS40N50L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFPS40N50LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFPS40N50LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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