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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFPS3815PBF
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IRFPS3815PBF

更新时间： 2024-11-28 04:23:23
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 132K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRFPS3815PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：LEAD FREE, SUPER-247, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：6.15其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：1610 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：105 A最大漏极电流 (ID)：105 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：441 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：390 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFPS3815PBF 数据手册

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PD - 95896  
IRFPS3815PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
D
VDSS = 150V  
R
DS(on) = 0.015Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
ID = 105A  
S
Description  
The HEXFET® Power MOSFETs from International  
Rectifier utilize advanced processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
This benefit, combined with the fast switching speed  
and ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use in  
a wide variety of applications.  
Super-247™  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
105  
74  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
390  
441  
2.9  
PD @TC = 25°C  
PowerDissipation  
W
W/°C  
V
LinearDeratingFactor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-SourceVoltage  
± 30  
1610  
58  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
AvalancheCurrent  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
RepetitiveAvalancheEnergy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
OperatingJunctionand  
38  
mJ  
V/ns  
3.0  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
SolderingTemperature, for10seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.34  
–––  
40  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.24  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
09/13/04  
12345678

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