IRFPS37N50A

更新时间： 2024-09-21 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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Power MOSFET

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IRFPS37N50A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.16	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	1260 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	36 A	最大漏极电流 (ID)：	36 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	446 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFPS37N50A 数据手册

IRFPS37N50A, SiHFPS37N50A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

_DS(on)(Max.) (Ω)

V_GS= 10 V

0.13

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

180

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

SUPER-247^TM

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Full Bridge Converters

• Power Factor Correction Boost

ORDERING INFORMATION

Package

SUPER-247^TM

IRFPS37N50APbF

SiHFPS37N50A-E3

IRFPS37N50A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFPS37N50A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

144

Linear Derating Factor

3.6

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

1260

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

446

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 1.94 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 36 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 36 A, dI/dt ≤ 145 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91258

S-81368-Rev. B, 21-Jul-08

www.vishay.com

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IRFPS37N50APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on)ma
IRFPS37N50APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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IRFPS3810PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRFPS3815PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
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