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IRFPS3810

更新时间： 2024-09-20 22:32:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 125K
描述
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.009ohm, Id=170A)

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IRFPS3810 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.2其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：1350 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：105 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：670 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRFPS3810 数据手册

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PD - 93912A  
IRFPS3810  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 100V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
RDS(on) = 0.009Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
ID = 170A†  
S
Description  
The HEXFET® Power MOSFETs from International  
Rectifier utilize advanced processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area.  
This benefit, combined with the fast switching speed  
and ruggedized device design that HEXFET power  
MOSFETs are well known for, provides the designer  
with an extremely efficient and reliable device for use in  
a wide variety of applications.  
Super-247™  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
170†  
120†  
670  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
580  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
3.8  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 30  
1350  
100  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
58  
mJ  
V/ns  
2.3  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.26  
–––  
40  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.24  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
1/21/02  
12345678

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IRFPS3810 替代型号

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