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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.2 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1350 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 105 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 670 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| CSD19531KCS | TI |
功能相似  |
100V N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs |
|
| IRFPS3810PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFPS3810PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFPS3815 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.015ohm, Id=105A) |
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| IRFPS3815PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFPS38N60L | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
| IRFPS38N60LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFPS40N50L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.087ohm, Id=46A) |
|
| IRFPS40N50L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFPS40N50LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFPS40N50LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRFPS40N60K | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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