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CSD19531KCS

更新时间： 2024-11-28 12:54:39
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描述
100V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs

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CSD19531KCS 数据手册

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CSD19531KCS  
www.ti.com  
SLPS407 –SEPTEMBER 2013  
100V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs  
Check for Samples: CSD19531KCS  
1
FEATURES  
2
•
•
•
•
•
•
•
Ultra Low Qg and Qgd  
Low Thermal Resistance  
Avalanche Rated  
PRODUCT SUMMARY  
TA = 25°C  
VDS  
TYPICAL VALUE  
UNIT  
V
Drain to Source Voltage  
Gate Charge Total (10V)  
Gate Charge Gate to Drain  
100  
37  
Qg  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Pb Free Terminal Plating  
RoHS Compliant  
Qgd  
7.5  
VGS = 6V  
7.3  
6.4  
RDS(on) Drain to Source On Resistance  
VGS(th) Threshold Voltage  
Halogen Free  
VGS = 10V  
TO-220 Plastic Package  
2.7  
APPLICATIONS  
ORDERING INFORMATION  
Device  
CSD19531KCS  
Package  
Media  
Qty  
Ship  
Tube  
•
•
•
Secondary Side Synchronous Rectifier  
Hot Swap Telecom  
TO-220 Plastic  
Package  
Tube  
50  
Motor Control  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
DESCRIPTION  
TA = 25°C  
VALUE  
UNIT  
This 100V, 6.4mΩ, TO-220 NexFET™ power  
MOSFET has been designed to minimize losses in  
power conversion applications.  
VDS  
VGS  
Drain to Source Voltage  
100  
±20  
V
V
Gate to Source Voltage  
Continuous Drain Current (Package limited),  
TC = 25°C  
100  
105  
67  
Pin Out Drawing  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 25°C  
ID  
A
Drain (Pin 2)  
Continuous Drain Current (Silicon limited),  
TC = 100°C  
IDM  
PD  
TJ,  
Pulsed Drain Current (1)  
122  
179  
A
Power Dissipation  
W
Operating Junction and Storage  
–55 to 150  
180  
°C  
TSTG Temperature Range  
Gate  
(Pin 1)  
Avalanche Energy, single pulse  
ID = 60A, L = 0.1mH, RG = 25Ω  
EAS  
mJ  
(1) Pulse duration ≤300μs, Duty cycle ≤1%  
Source (Pin 3)  
RDS(on) vs VGS  
GATE CHARGE  
20  
10  
TC = 25°C,I D = 60A  
TC = 125°C,I D = 60A  
ID = 60A  
VDS = 50V  
18  
9
16  
14  
12  
10  
8
8
7
6
5
4
3
2
1
0
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
36  
40  
Qg - Gate Charge (nC)  
VGS - Gate-to- Source Voltage (V)  
G001  
G001  
1
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
NexFET is a trademark of Texas Instruments.  
2
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
Copyright © 2013, Texas Instruments Incorporated  
 
1234567

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