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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7E3704
IRF7E3704 PDF预览

IRF7E3704

更新时间： 2024-09-08 11:09:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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7页 128K
描述
HEXFET POWER MOSFET SURFACE MOUNT (LCC-18)

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IRF7E3704 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：HERMETIC SEALED, LCC-18Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.21
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.055 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CQCC-N18JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：18
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7E3704 数据手册

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PD - 94678  
HEXFET® POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-18)  
IRF7E3704  
20V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
RDS(on)  
ID  
DSS  
IRF7E3704  
20V  
0.05Ω 12A*  
LCC-18  
Seventh Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Surface Mount  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
12*  
10  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
48  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
20  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
0.16  
±20  
120  
12  
V
Gate-to-Source Voltage  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
2.0  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
1.0  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
0.42 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
07/02/03  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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