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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HERMETIC SEALED, SMD-2, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.28 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 313 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7NA2907PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7NA2907SCS | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7NA2907SCV | INFINEON |
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75V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-2 package - Screening Level TXV |
|
| IRF7NA2907SCX | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7NJZ44V | INFINEON |
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HEXFET-R POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
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| IRF7NJZ44VPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7Y1405CM | INFINEON |
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HEXFET® POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRF7Y1405CMPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRF7YSZ44VCM | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-ohmic TO- |
|
| IRF7YSZ44VCMPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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