5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7NJZ44V
IRF7NJZ44V PDF预览

IRF7NJZ44V

更新时间： 2024-11-23 03:46:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 115K
描述
HEXFET-R POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF7NJZ44V 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：HERMETIC SEALED, SMD-0.5, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：66 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：22 A
最大漏极电流 (ID)：22 A最大漏源导通电阻：0.0165 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7NJZ44V 数据手册

 浏览型号IRF7NJZ44V的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7NJZ44V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7NJZ44V的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7NJZ44V的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7NJZ44V的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7NJZ44V的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94433  
HEXFET® POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
IRF7NJZ44V  
60V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
RDS(on)  
ID  
DSS  
IRF7NJZ44V  
60V  
0.0165Ω 22A*  
Seventh Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
SMD-0.5  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
22*  
22*  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
88  
DM  
@ T = 25°C  
P
50  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.4  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
66  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
mJ  
A
AS  
I
22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
5.0  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
2.2  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Package Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
* Current is limited by package and internal wires  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/24/02  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IRF7NJZ44V相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7NJZ44VPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7Y1405CM INFINEON

获取价格

 		HEXFET® POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA)
IRF7Y1405CMPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF7YSZ44VCM INFINEON

获取价格

 		HEXFET® POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-ohmic TO-
IRF7YSZ44VCMPBF INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IRF8010 INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF8010L INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRF8010LPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF8010PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF8010S INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET

与IRF7NJZ44V相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证