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IRF7Y1405CMPBF

更新时间： 2024-09-14 13:08:47
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IRF7Y1405CMPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7雪崩能效等级（Eas）：308 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.0153 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-257AA
JESD-30 代码：R-MSFM-P3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：METAL
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF7Y1405CMPBF 数据手册

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PD - 94449  
HEXFET® POWER MOSFET  
THRU-HOLE (TO-257AA)  
IRF7Y1405CM  
55V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
RDS(on)  
ID  
DSS  
IRF7Y1405CM  
55V  
0.0153Ω 18A*  
Seventh Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
TO-257AA  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, invert-  
ers, choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
18*  
18*  
D
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
D
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
72  
DM  
@ T = 25°C  
P
100  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.8  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
308  
mJ  
A
AS  
I
18  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
10  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
1.8  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Lead Temperature  
Weight  
300 (0.063in./1.6mm from case for 10s)  
4.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
05/31/02  
1234567

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