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IRF8010S

更新时间: 2024-09-14 04:23:19
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英飞凌 - INFINEON 开关
页数 文件大小 规格书
10页 223K
描述
SMPS MOSFET

IRF8010S 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.12
雪崩能效等级(Eas):310 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):75 A最大漏源导通电阻:0.015 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):225
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):320 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF8010S 数据手册

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PD - 94573  
IRF8010S  
SMPS MOSFET  
IRF8010L  
Applications  
l High frequency DC-DC converters  
l UPS and Motor Control  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
Benefits  
‡
100V  
15mΩ  
80A  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
l Typical RDS(on) = 12mΩ  
D2Pak  
TO-262  
IRF8010L  
IRF8010S  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
80  
Units  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
C
57  
320  
260  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
1.8  
W/°C  
V
V
± 20  
GS  
dv/dt  
T
J
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
16  
V/ns  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.57  
0.80  
–––  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Case (end of life)  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.50  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
40  
Notes  through ˆ are on page 8  
www.irf.com  
1
01/28/03  

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