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IRF8010STRLPBF

更新时间： 2024-09-14 20:06:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 228K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRF8010STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.27
雪崩能效等级（Eas）：310 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF8010STRLPBF 数据手册

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PD - 95433  
IRF8010SPbF  
SMPS MOSFET  
IRF8010LPbF  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
l High frequency DC-DC converters  
l UPS and Motor Control  
l Lead-Free  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
80A  
‡
100V  
15mΩ  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
D2Pak  
IRF8010S  
TO-262  
IRF8010L  
l Typical RDS(on) = 12mΩ  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
80  
Units  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
C
57  
320  
260  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
1.8  
W/°C  
V
V
± 20  
GS  
dv/dt  
T
J
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
16  
V/ns  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.57  
0.80  
–––  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Case (end of life)  
–––  
°C/W  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
0.50  
–––  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
40  
Notes  through ˆ are on page 8  
www.irf.com  
1
06/21/04  
1234567...11

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IRF8113 INFINEON

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 		Power MOSFET
IRF8113PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRF8113PBF-1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor
IRF8113TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF8113TR UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF8113TRPBF INFINEON

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 		Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power
IRF8113TRPBF-1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor
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 		Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
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