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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 173K |  |
| 描述 | ||
| N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF820 | INTERSIL |
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2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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| IRF820 | ROCHESTER |
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2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| IRF820 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A) |
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| IRF820 | MOTOROLA |
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N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS |
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| IRF820 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET |
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| IRF820 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF820 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 450 V/500 V |
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| IRF820 | SUNTAC |
获取价格 |
POWER MOSFET |
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| IRF820 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF820_R4943 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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