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IRF8113

更新时间： 2024-09-13 22:24:11
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 207K
描述
Power MOSFET

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IRF8113 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.64Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：48 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：17.2 A
最大漏源导通电阻：0.0056 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：135 A
表面贴装：YES端子面层：NOT SPECIFIED
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF8113 数据手册

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PD - 94637A  
IRF8113  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Synchronous MOSFET for Notebook  
Processor Power  
VDSS  
30V  
RDS(on) max  
Qg Typ.  
24nC  
5.6m:@VGS = 10V  
l Synchronous Rectifier MOSFET for  
Isolated DC-DC Converters in Networking  
A
A
1
8
Systems  
D
S
Benefits  
2
3
4
7
S
S
D
l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS  
l Low Gate Charge  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
6
D
5
G
D
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
30  
Units  
V
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
V
± 20  
17.2  
13.8  
135  
2.5  
GS  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
A
DM  
Power Dissipation  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
W
D
D
Power Dissipation  
1.6  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
W/°C  
°C  
T
-55 to + 150  
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Junction-to-Ambient  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
°C/W  
RθJL  
RθJA  
–––  
50  
Notes  through ꢀ are on page 10  
www.irf.com  
1
1/5/04  
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IRF8113 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF8113TRPBF INFINEON

类似代替

 Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power
IRF8113PBF INFINEON

功能相似

 HEXFET㈢Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF8113PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢Power MOSFET
IRF8113PBF-1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor
IRF8113TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF8113TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRF8113TRPBF INFINEON

获取价格

 		Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power
IRF8113TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IRF8113UPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IRF8113UTRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IRF82 STMICROELECTRONICS

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 		N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
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 		2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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