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IRF82016

更新时间: 2024-09-14 04:24:03
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
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2页 66K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRF82016 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IRF820A VISHAY

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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=3.0ohm, Id=2.5A)
IRF820A MOTOROLA

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2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF820A16A MOTOROLA

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2.5 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF820AF MOTOROLA

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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal