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IRF8113TRPBF

更新时间： 2024-11-19 12:35:07

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英飞凌 - INFINEON		/
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10页	272K
描述
Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power

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IRF8113TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.11
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17.2 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.5 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

IRF8113TRPBF 数据手册

PD - 94637B

IRF8113

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

l Synchronous MOSFET for Notebook

Processor Power

V_DSS

30V

R_DS(on)max

Qg Typ.

24nC

5.6m:@V_GS= 10V

l Synchronous Rectifier MOSFET for

Isolated DC-DC Converters in

Networking Systems

Benefits

l Very Low R_DS(on)at 4.5V V_GS

l Low Gate Charge

l Fully Characterized Avalanche Voltage

and Current

SO-8

Top View

l 100% Tested for R_G

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_DS

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

± 20

17.2

13.8

135

2.5

@ T_A= 25°C

@ T_A= 70°C

Power Dissipation

@T_A= 25°C

@T_A= 70°C

Power Dissipation

1.6

Linear Derating Factor

Operating Junction and

0.02

-55 to + 150

W/°C

°C

Storage Temperature Range

STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Drain Lead

Junction-to-Ambient

Typ.

–––

Max.

Units

°C/W

R_θJL

R_θJA

–––

Notes through ꢀ are on page 10

www.irf.com

6/30/05

12 3 4 5 6 7...10

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IRF8113TRPBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRF8113TR	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF8113PBF	INFINEON	类似代替	HEXFET㈢Power MOSFET
IRF8113	INFINEON	类似代替	Power MOSFET

与IRF8113TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF8113TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRF8113UPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IRF8113UTRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IRF82	STMICROELECTRONICS	获取价格	N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF820	INTERSIL	获取价格	2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRF820	ROCHESTER	获取价格	2.5A, 500V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF820	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.5A)
IRF820	MOTOROLA	获取价格	N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS
IRF820	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
IRF820	SAMSUNG	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFETS