IRF820

更新时间： 2024-11-18 22:24:11

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲栅局域网
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2页	144K
描述
N-CHANNEL Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS

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IRF820 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	40 pF	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	40 W
最大功率耗散 (Abs)：	50 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	90 ns
最大开启时间（吨）：	110 ns	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SIHF820-E3	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRF820PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRF820	STMICROELECTRONICS	功能相似	N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF820_R4943	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRF820-013PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF820-019PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF82016	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF820-220	SUNTAC	获取价格	POWER MOSFET
IRF820-220FP	SUNTAC	获取价格	POWER MOSFET
IRF820-251	SUNTAC	获取价格	POWER MOSFET
IRF820-252	SUNTAC	获取价格	POWER MOSFET
IRF820A	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF820A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET