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IRF8010PBF

更新时间： 2024-09-09 04:23:19
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF8010PBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.82Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：310 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.015 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：260 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF8010PBF 数据手册

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PD - 95505  
IRF8010PbF  
SMPS MOSFET  
l High frequency DC-DC converters  
l UPS and Motor Control  
l Lead-Free  
Applications  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
†
100V  
15mΩ  
80A  
Benefits  
l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design, (See  
App. Note AN1001)  
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
l Typical RDS(on) = 12mΩ  
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
80  
Units  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
@ T = 100°C  
C
57  
320  
260  
DM  
P
@T = 25°C  
C
Power Dissipation  
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
1.8  
W/°C  
V
V
± 20  
GS  
dv/dt  
T
J
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
16  
V/ns  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
1.1(10)  
N•m (lbf•in)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.57  
–––  
62  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
Notes  through † are on page 8  
www.irf.com  
1
07/06/04  
12345678

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