是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.68 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 370 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 73 A |
最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-262AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 290 A |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF8010PBF | INFINEON |
功能相似 ![]() |
HEXFET Power MOSFET |
![]() |
IRF8010 | INFINEON |
功能相似 ![]() |
HEXFET Power MOSFET |
![]() |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFSL4610TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
![]() |
IRFSL4610TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
![]() |
IRFSL4615PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
![]() |
IRFSL4620PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
![]() |
IRFSL4710 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
![]() |
IRFSL4710PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
![]() |
IRFSL52N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
![]() |
IRFSL52N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
![]() |
IRFSL5615 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil |
![]() |
IRFSL5615PBF | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
![]() |