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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 73 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-262AA | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 290 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF8010PBF | INFINEON |
功能相似  |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF8010 | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSL4610TRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSL4610TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSL4615PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL4620PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL4710 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
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| IRFSL4710PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFSL52N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
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| IRFSL52N15DPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL5615 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil |
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| IRFSL5615PBF | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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