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IRFSL7430PBF

更新时间： 2024-11-18 19:48:27

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Power Field-Effect Transistor

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IRFSL7430PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	1.79
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	195 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	375 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRFSL7430PBF 数据手册

StrongIRFET

IRFS7430PbF

IRFSL7430PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

R_DS(on)typ.

max.

40V

0.97m

1.2m

l Brushed motor drive applications

l BLDC motor drive applications

l Battery powered circuits

l Half-bridge and full-bridge topologies

l Synchronous rectifier applications

l Resonant mode power supplies

l OR-ing and redundant power switches

l DC/DC and AC/DC converters

l DC/AC inverters

426A

I_D

(Silicon Limited)

195A

I_D

(Package Limited)

Benefits

l Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt

ruggedness

D²Pak

IRFS7430PbF

TO-262

IRFSL7430PbF

l Fully characterized capacitance and avalanche

SOA

l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

l Lead-free

Gate

Drain

Source

Base Part Number

Package Type

Standard Pack

Form

Tube

Orderable Part Number

Quantity

IRFSL7430PbF

IRFS7430PbF

TO-262

D2-Pak

IRFSL7430PbF

IRFS7430PbF

Tube

Tape and Reel Left

800

IRFS7430TRLPbF

6.0

4.0

2.0

0.0

500

400

300

200

100

= 100A

Limited By Package

= 125°C

= 25°C

12 14 16

18 20

100

125

150

175

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

Submit Datasheet Feedback November 19, 2013

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