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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220F | 包装说明： | TO-220F, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.38 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 168 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 68 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSZ25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFSZ30 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFSZ32 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFSZ34 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-186 |
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| IRFSZ34A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
|
| IRFSZ35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRFSZ40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFSZ44 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFSZ44A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
|
| IRFSZ45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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