是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.92 |
雪崩能效等级(Eas): | 1.4 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.7 A |
最大漏极电流 (ID): | 6.7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.3 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 25 W | 最大功率耗散 (Abs): | 25 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 27 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 53 ns | 最大开启时间(吨): | 67 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU014 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU014 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFU014 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) | |
IRFU014 | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU014A | FAIRCHILD |
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ADVANCED POWER MOSFET | |
IRFU014PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU014PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU014PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFU015 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFU020 | KERSEMI |
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Power MOSFET |