IRFU024PBF

更新时间： 2024-09-15 11:57:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	1165K
描述
Power MOSFET

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IRFU024PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	6.93	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	91 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFU024PBF 数据手册

IRFR024, IRFU024, SiHFR024, SiHFU024

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Dynamic dV/dt Rating

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.10

• Surface Mount (IRFR024, SiHFR024)

• Straight Lead (IRFU024, SiHFU024)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

5.8

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

Configuration

Single

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU, SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

N-Channel MOSFET

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

SiHFR024-GE3

IRFR024PbF

SiHFR024-E3

IRFR024

DPAK (TO-252)

SiHFR024TR-GE3

IRFR024TRPbF^a

SiHFR024T-E3^a

IRFR024TR^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

SiHFU024-GE3

IRFU024PbF

SiHFU024-E3

IRFU024

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFR024TRL-GE3

Lead (Pb)-free

SnPb

IRFR024TRL^a

SiHFR024TL^a

SiHFR024

SiHFR024T^a

SiHFU024

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

9.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

P_D

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

V/ns

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 541 μH, R_g= 25 Ω, I_AS= 14 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 17 A, dI/dt ≤ 110 A/μs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91264

S10-1122-Rev. C, 10-May-10

www.vishay.com

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IRFU024PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD12NF06L-1	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr

与IRFU024PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU034A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-251AA
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IRFU1010ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRFU1018EPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET TM Power MOSFET
IRFU110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU110	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated
IRFU110	INTERSIL	获取价格	4.7A, 100V, 0.540 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFU110, SiHFU110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU110_R4941	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
IRFU110A	FAIRCHILD	获取价格	Advanced Power MOSFET

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