Datasheet > IRFU014

IRFU014

更新时间： 2024-11-02 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	1768K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFU014 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.11
雪崩能效等级（Eas）：	47 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A
最大漏极电流 (ID)：	7.7 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFU014 数据手册

IRFR014, IRFU014, SiHFR014, SiHFU014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRFR014/SiHFR014)

• Straight Lead (IRFU014/SiHFU014)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.20

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.1

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

5.8

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

N-Channel MOSFET

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR014TRPbF^a

SiHFR014T-E3^a

IRFR014TR^a

IPAK (TO-251)

IRFU014PbF

SiHFU014-E3

IRFU014

IRFR014PbF

SiHFR014-E3

IRFR014

IRFR014TRLPbF^a

SiHFR014TL-E3^a

IRFR014TRL^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR014

SiHFR014TL^a

SiHFR014T^a

SiHFU014

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

7.7

4.9

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

P_D

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91263

S-81432-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFU014 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFU014PBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
SIHFU014	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
IRFU014	SAMSUNG	功能相似	N-CHANNEL POWER MOSFET

与IRFU014相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU014A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRFU014PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU014PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU014PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFU015	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFU020	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU020	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU020PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU020PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU022	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IRFU014相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

6
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

3
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

24
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

25

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU014

IRFU014 技术参数

IRFU014 数据手册

IRFU014 替代型号

与IRFU014相关器件

与IRFU014相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFU014

IRFU014 技术参数

IRFU014 数据手册

IRFU014 替代型号

与IRFU014相关器件

与IRFU014相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？