是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.16 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 14 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 42 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU020PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU020PBF | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU022 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFU024 | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU024 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET | |
IRFU024 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU024A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251AA | |
IRFU024N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=1 | |
IRFU024NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFU024NPBF | KERSEMI |
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Ultra Low On-Resistance |