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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1.4 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 25 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 53 ns | 最大开启时间（吨）： | 67 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU014A | FAIRCHILD |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
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| IRFU014PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU014PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU014PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFU015 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFU020 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU020 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU020PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU020PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU022 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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