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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 雪崩能效等级（Eas）： | 58 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.14 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 18 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 33 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU014PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU014PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU014PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFU015 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFU020 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU020 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU020PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU020PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFU022 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFU024 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
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