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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFTF180-12HJ | INFINEON |
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FAST THYRISTOR/ DIODE and MAGN-A-pak Power Modules THYRISTOR/ THYRISTOR |
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| IRFTF180-12HK | INFINEON |
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FAST THYRISTOR/ DIODE and MAGN-A-pak Power Modules THYRISTOR/ THYRISTOR |
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| IRFTS8342 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFTS8342PBF | INFINEON |
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Industry-Standard TSOP-6 Package |
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| IRFTS8342TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 8.2A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFTS9342 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFTS9342PBF | INFINEON |
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Industry-Standard TSOP-6 Package |
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| IRFTS9342TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU010 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFU010 | INFINEON |
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AVALANCHE AND dv/dt RATED |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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