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IRFTS9342TRPBF PDF预览

IRFTS9342TRPBF

更新时间： 2024-09-14 14:42:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON PC开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 230K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6

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IRFTS9342TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.14Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：666149
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：Transistor
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：TSOP-6
Samacsys Released Date：2017-04-03 16:35:38Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 A最大漏极电流 (ID)：5.8 A
最大漏源导通电阻：0.04 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：46 A子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFTS9342TRPBF 数据手册

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PD - 96411A  
IRFTS9342PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
-30  
20  
V
V
A
D
1
2
6
5
4
D
D
VGS max  
±
RDS(on) max  
(@VGS = -10V)  
40  
m
Ω
Ω
D
RDS(on) max  
(@VGS = -4.5V)  
Qg typ  
3
G
S
66  
12  
m
TSOP-6  
nC  
A
Top View  
ID  
-5.8  
(@TA= 25°C)  
Applications  
l Battery operated DC motor inverter MOSFET  
l System/Load Switch  
Features and Benefits  
Features  
Benefits  
Industry-Standard TSOP-6 Package  
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen  
Multi-Vendor Compatibility  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
results in  
⇒
MSL1, Consumer Qualification  
Orderable part number  
Package Type  
Standard Pack  
Note  
Form  
Quantity  
IRFTS9342TRPbF  
TSOP-6  
Tape and Reel  
3000  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
-30  
±20  
-5.8  
-4.6  
-46  
V
V
GS  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
@ TA = 25°C  
D
D
@ TA = 70°C  
A
DM  
P
P
@TA = 25°C  
@TA = 70°C  
Power Dissipation  
Power Dissipation  
2.0  
D
D
W
1.3  
Linear Derating Factor  
Operating Junction and  
0.02  
-55 to + 150  
W/°C  
°C  
T
J
T
Storage Temperature Range  
STG  
Notes  through „ are on page 2  
www.irf.com  
1
02/29/12  
12345678

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