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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSZ35 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSZ40 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFSZ44 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFSZ44A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
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| IRFSZ45 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFT001 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SIP |
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| IRFT002 | ETC |
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Interface IC |
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| IRFT003 | ETC |
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Interface IC |
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| IRFT004 | ETC |
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Interface IC |
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| IRFTF180-12HJ | INFINEON |
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FAST THYRISTOR/ DIODE and MAGN-A-pak Power Modules THYRISTOR/ THYRISTOR |
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