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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 1.12 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8.2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 8.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.019 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFTS9342 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
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| IRFTS9342PBF | INFINEON |
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Industry-Standard TSOP-6 Package |
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| IRFTS9342TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFU010 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFU010 | INFINEON |
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AVALANCHE AND dv/dt RATED |
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| IRFU012 | INFINEON |
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AVALANCHE AND dv/dt RATED |
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| IRFU012 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFU014 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFU014 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| IRFU014 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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