是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TSOP-6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 1.12 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 8.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.019 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFTS9342 | INFINEON |
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The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim | |
IRFTS9342PBF | INFINEON |
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Industry-Standard TSOP-6 Package | |
IRFTS9342TRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRFU010 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFU010 | INFINEON |
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AVALANCHE AND dv/dt RATED | |
IRFU012 | INFINEON |
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AVALANCHE AND dv/dt RATED | |
IRFU012 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 50V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFU014 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU014 | SAMSUNG |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | |
IRFU014 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss = 60 V, Rds(on) = 0.20 Ohm, Id= 7.7A) |