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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 8 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 35 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 101 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 131 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSZ32 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSZ34 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-186 |
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| IRFSZ34A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
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| IRFSZ35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSZ40 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFSZ44 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFSZ44A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220AB |
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| IRFSZ45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFT001 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | ARRAY | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 5A I(D) | SIP |
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| IRFT002 | ETC |
获取价格 |
Interface IC |
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