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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSZ22 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFSZ24 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| IRFSZ24A | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFSZ25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFSZ30 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 50V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRFSZ32 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 50V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSZ34 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-186 |
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| IRFSZ34A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220AB |
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| IRFSZ35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15.6A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSZ40 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 50V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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