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IRFSL7734PBF

更新时间： 2024-11-18 20:41:15

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英飞凌 - INFINEON		/
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12页	655K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRFSL7734PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	15 weeks	风险等级：	5.35
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IRFSL7734PBF 数据手册

StrongIRFET™

IRFB7734PbF

IRFS7734PbF

IRFSL7734PbF

HEXFET^®Power MOSFET

Application

 Brushed motor drive applications

 BLDC motor drive applications

Battery powered circuits

 Half-bridge and full-bridge topologies

 Synchronous rectifier applications

 Resonant mode power supplies

 OR-ing and redundant power switches

 DC/DC and AC/DC converters

 DC/AC inverters

V_DSS

R_DS(on)typ.

max

75V

2.8m

3.5m

183A

I_D

Benefits

 Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness

 Fully characterized capacitance and avalanche SOA

 Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

 Lead-free, RoHS compliant

TO-220AB

TO-262

D2Pak

IRFB7734PbF

IRFSL7734PbF

IRFS7734PbF

Gate

Drain

Source

Base part number

Package Type

Standard Pack

Form

Orderable Part Number

Quantity

IRFB7734PbF

IRFSL7734PbF

IRFS7734PbF

TO-220

TO-262

D2-Pak

Tube

IRFB7734PbF

IRFSL7734PbF

IRFS7734PbF

Tube

Tape and Reel Left

800

IRFS7734TRLPbF

200

160

120

= 100A

= 125°C

= 25°C

100

125

150

175

10 12 14 16 18 20

, Case Temperature (°C)

Gate -to -Source Voltage (V)

GS,

Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature

Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage

www.irf.com

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November 5, 2014

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IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFSL9N60APBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL9N60APBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL9N60ATRL	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFSL9N60ATRLPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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IRFSL9N60ATRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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