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IRFSL7437PBF

更新时间： 2024-02-19 07:09:42
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英飞凌 - INFINEON /
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11页 303K
描述
HEXFETPower MOSFET

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IRFSL7437PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：1.11雪崩能效等级（Eas）：802 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：195 A
最大漏极电流 (ID)：195 A最大漏源导通电阻：0.0018 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1000 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFSL7437PBF 数据手册

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StrongIRFET™  
IRFS7437PbF  
Applications  
IRFSL7437PbF  
l Brushed Motor drive applications  
l BLDC Motor drive applications  
l Battery powered circuits  
l Half-bridge and full-bridge topologies  
l Synchronous rectifier applications  
l Resonant mode power supplies  
l OR-ing and redundant power switches  
l DC/DC and AC/DC converters  
l DC/AC Inverters  
HEXFET® Power MOSFET  
VDSS  
40V  
D
RDS(on) typ.  
max.  
1.4mΩ  
1.8mΩ  
G
ID  
250A  
(Silicon Limited)  
ID  
195A  
(Package Limited)  
S
D
D
Benefits  
l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt  
Ruggedness  
S
S
D
l Fully Characterized Capacitance and Avalanche  
G
G
SOA  
D2Pak  
TO-262  
l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  
l Lead-Free  
IRFSL7437PbF  
IRFS7437PbF  
l Halogen-Free  
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Ordering Information  
Base part number  
Package Type  
Standard Pack  
Form  
Tube  
Tube  
Tape and Reel Left  
Complete Part  
Number  
IRFSL7437PbF  
IRFS7437PbF  
IRFS7437TRLPbF  
Quantity  
50  
IRFSL7437PbF  
IRFS7437PbF  
IRFS7437PbF  
TO-262  
D2Pak  
D2Pak  
50  
800  
6
5
4
3
2
1
0
250  
200  
150  
100  
50  
LIMITED BY PACKAGE  
I
= 100A  
D
T
= 125°C  
= 25°C  
J
T
J
0
4.0  
6.0  
8.0 10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0  
, Gate-to-Source Voltage (V)  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
V
T
, Case Temperature (°C)  
GS  
C
Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature  
Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage  
www.irf.com  
1
September06,2012  
1234567...11

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