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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 5.37 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1025 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 195 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 195 A | 最大漏源导通电阻： | 0.002 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 375 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 760 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSL7537 | INFINEON |
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The?StrongIRFET? power MOSFET family is?optimized for low RDS(on)?and high current capabil |
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| IRFSL7537PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRFSL7730PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IRFSL7734PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IRFSL7762PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IRFSL9N60A | INFINEON |
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SMPS MOSFET |
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| IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFSL9N60APBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSL9N60APBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRFSL9N60ATRL | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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