5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRFSL5615
IRFSL5615 PDF预览

IRFSL5615

更新时间： 2024-01-08 19:01:41
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 354K
描述
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.?

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRFSL5615 数据手册

 浏览型号IRFSL5615的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFSL5615的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFSL5615的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFSL5615的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFSL5615的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFSL5615的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96204  
DIGITAL AUDIO MOSFET  
IRFS5615PbF  
IRFSL5615PbF  
Features  
Key Parameters  
• Key Parameters Optimized for Class-D Audio  
Amplifier Applications  
VDS  
150  
34.5  
26  
V
m
RDS(ON) typ. @ 10V  
Qg typ.  
• Low RDSON for Improved Efficiency  
• Low QG and QSW for Better THD and Improved  
Efficiency  
nC  
nC  
Ω
Qsw typ.  
11  
RG(int) typ.  
TJ max  
2.7  
175  
°C  
• Low QRR for Better THD and Lower EMI  
• 175°C Operating Junction Temperature for  
Ruggedness  
D
D
D
• Can Deliver up to 300W per Channel into 4Ω Load in  
Half-Bridge Configuration Amplifier  
S
S
G
D
G
G
D2Pak  
IRFS5615PbF  
TO-262  
IRFSL5615PbF  
S
G
D
S
Gate  
Drain  
Source  
Description  
This Digital Audio MOSFET is specifically designed for Class-D audio amplifier applications. This MOSFET utilizes  
thelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diode  
reverse recovery and internal Gate resistance are optimized to improve key Class-D audio amplifier performance  
factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction  
temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient,  
robust and reliable device for ClassD audio amplifier applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Max.  
150  
±20  
33  
Units  
VDS  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
24  
A
140  
144  
72  
Power Dissipation  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
W
Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
0.96  
W/°C  
TJ  
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
-55 to + 175  
TSTG  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
(1.6mm from case)  
300  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
1.045  
40  
Units  
Junction-to-Case  
Rθ  
JC  
°C/W  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
RθJA  
Notes  through † are on page 2  
www.irf.com  
1
12/18/08  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与IRFSL5615相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFSL5615PBF INFINEON

获取价格

 		DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFSL5620PBF INFINEON

获取价格

 		DIGITAL AUDIO MOSFET
IRFSL59N10D INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A)
IRFSL59N10DPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRFSL7430PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IRFSL7437 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFSL7437PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFETPower MOSFET
IRFSL7440 INFINEON

获取价格

 		The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim
IRFSL7440PbF INFINEON

获取价格

 		Applications
IRFSL7530PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRFSL5615相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证