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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, TO-262, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 73 A | 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 290 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFSL4615PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL4620PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL4710 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100v, Rds(on)max=0.014ohm, Id=75A) |
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| IRFSL4710PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRFSL52N15D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.032ohm, Id=50A) |
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| IRFSL52N15DPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRFSL5615 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil |
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| IRFSL5615PBF | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
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| IRFSL5620PBF | INFINEON |
获取价格 |
DIGITAL AUDIO MOSFET |
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| IRFSL59N10D | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)max=0.025ohm, Id=59A) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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