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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.66 | 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0045 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XBCC-N3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7NA2907SCV | INFINEON |
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75V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-2 package - Screening Level TXV |
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| IRF7NA2907SCX | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7NJZ44V | INFINEON |
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HEXFET-R POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
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| IRF7NJZ44VPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRF7Y1405CM | INFINEON |
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HEXFET® POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-257AA) |
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| IRF7Y1405CMPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRF7YSZ44VCM | INFINEON |
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HEXFET® POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-ohmic TO- |
|
| IRF7YSZ44VCMPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRF8010 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF8010L | INFINEON |
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SMPS MOSFET |
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