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IRF7NA2907SCX

更新时间： 2024-11-20 10:06:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETICALLY SEALED, SMD-2, 3 PIN

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IRF7NA2907SCX 技术参数

生命周期：Active包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.0045 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7NA2907SCX 数据手册

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PD-94337C  
HEXFET® POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-2)  
IRF7NA2907  
75V, N-CHANNEL  
Product Summary  
Part Number  
BV  
RDS(on)  
ID  
DSS  
IRF7NA2907  
75V  
0.0045Ω 75A*  
Seventh Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachievethelowestpossibleon-resistance  
per silicon unit area. This benefit, combined with the  
fast switching speed and ruggedized device design  
that HEXFET power MOSFETs are well known for,  
providesthedesignerwithanextremelyefficientdevice  
for use in a wide variety of applications.  
These devices are well-suited for applications such  
as switching power supplies, motor controls, inverters,  
choppers, audio amplifiers and high-energy pulse  
circuits.  
SMD-2  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Avalanche Energy Ratings  
Dynamic dv/dt Rating  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 10V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
75*  
75*  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
300  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
250  
W
W/°C  
V
C
Linear Derating Factor  
2.0  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
500  
mJ  
A
AS  
I
75  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
25  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
6.4  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Package Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
3.3 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
01/27/15  
1234567

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