是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.12 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 180 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 80 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 9.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 9.3 A |
最大漏源导通电阻: | 0.015 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MS-012AA | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2.5 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 74 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF7493TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
High frequency DC-DC converte | |
IRF7493 | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET | |
SI4110DY-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 80-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF7493PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package | |
IRF7493PBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Industry-standard pinout SO-8 Package | |
IRF7493TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
High frequency DC-DC converte | |
IRF7494 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF7494PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF7494TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET | |
IRF7495 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRF7495PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRF7495TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IRF7495TRPBF | INFINEON |
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Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses |