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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SOP-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.02 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MS-012AA | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 58 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7495TRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses |
|
| IRF7495 | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| FDS3672 | FAIRCHILD |
功能相似 |
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 7.5A, 22mз |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7495TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
|
| IRF7495TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses |
|
| IRF7501 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm) |
|
| IRF7501PBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology Ulrtra Low On-Resistance |
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| IRF7501TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
|
| IRF7503 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm) |
|
| IRF7503PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7503TR | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
|
| IRF7503TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 0.135ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7504 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm) |
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