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IRF7501

更新时间： 2024-09-14 22:31:35
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英飞凌 - INFINEON /
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7页 145K
描述
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm)

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IRF7501 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：MICRO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：2.4 A
最大漏源导通电阻：0.135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：19 A
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7501 数据手册

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PD - 91265H  
IRF7501  
PRELIMINARY  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ulrtra Low On-Resistance  
l Dual N-Channel MOSFET  
l Very Small SOIC Package  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape & Reel  
l Fast Switching  
1
8
S1  
D1  
VDSS =20V  
2
7
G 1  
D 1  
3
6
S2  
D2  
4
5
G 2  
D 2  
RDS(on) = 0.135Ω  
Top V iew  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon  
area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety  
of applications.  
The new Micro8 package, with half the footprint area of the standard SO-8,  
provides the smallest footprint available in an SOIC outline. This makes the  
Micro8 an ideal device for applications where printed circuit board space is  
at a premium. The low profile (<1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily  
into extremely thin application environments such as portable electronics and  
PCMCIA cards.  
M icro8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
20  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
2.4  
1.9  
A
19  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Maximum Power Dissipation„  
Maximum Power Dissipation „  
Linear Derating Factor  
1.25  
0.8  
W
W
0.01  
W/°C  
V
VGSM  
Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10µs  
Gate-to-Source Voltage  
16  
VGS  
± 12  
5.0  
V
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
V/ns  
°C  
TJ , TSTG  
-55 to + 150  
240 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient „  
100  
°C/W  
All Micro8 Data Sheets reflect improved Thermal Resistance, Power and Current -Handling Ratings- effective  
only for product marked with Date Code 505 or later .  
www.irf.com  
1
4/30/98  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Generation V Technology
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