5秒后页面跳转
IRF7506TRPBF PDF预览

IRF7506TRPBF

更新时间: 2024-11-06 12:32:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 215K
描述
Generation V Technology

IRF7506TRPBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:End Of Life
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:15 weeks风险等级:5.75
Is Samacsys:N其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):1.7 A最大漏源导通电阻:0.27 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G8
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):9.6 A
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF7506TRPBF 数据手册

 浏览型号IRF7506TRPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF7506TRPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF7506TRPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF7506TRPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF7506TRPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF7506TRPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 95696  
IRF7506PbF  
Lead-Free  
9/2/04  

IRF7506TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7504TRPBF INFINEON

类似代替

暂无描述
IRF9953TRPBF INFINEON

功能相似

暂无描述
IRF7104TRPBF INFINEON

功能相似

暂无描述

与IRF7506TRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7507 INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=+-20V)
IRF7507PBF INFINEON

获取价格

HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7507PBF_15 INFINEON

获取价格

Ultra Low On-Resistance
IRF7507TR INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel
IRF7507TRPBF INFINEON

获取价格

Generation V Technology
IRF7509 INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=+-30V)
IRF7509PBF INFINEON

获取价格

HEXFET㈢Power MOSFET
IRF7509PBF-1 INFINEON

获取价格

Small Signal Field-Effect Transistor,
IRF7509TR INFINEON

获取价格

Power MOSFET(Vdss=+-30V)
IRF7509TRPBF INFINEON

获取价格

Generation V Technology