是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.71 |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 2.4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.14 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 19 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF7507TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
Generation V Technology | |
IRF7507PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF7507TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology | |
IRF7509 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=+-30V) | |
IRF7509PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRF7509PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |
IRF7509TR | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=+-30V) | |
IRF7509TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology | |
IRF7509TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, | |
IRF750A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET | |
IRF750AJ69Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRF7521D1 | INFINEON |
获取价格 |
FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds( |