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IRF7504TR PDF预览

IRF7504TR

更新时间： 2024-09-15 19:43:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 113K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 0.27ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-8

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IRF7504TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：MICRO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.27 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：9.6 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7504TR 数据手册

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PD - 9.1267G  
IRF7504  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual P-Channel MOSFET  
l Very Small SOIC Package  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape & Reel  
l Fast Switching  
1
2
8
D 1  
S 1  
G 1  
VDSS = -20V  
7
D 1  
3
4
6
5
S 2  
G 2  
D 2  
D 2  
R
DS(on) = 0.27Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
known for, provides the designer with an extremely efficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The new Micro8 package, with half the footprint area of the  
standard SO-8, provides the smallest footprint available in  
an SOIC outline. This makes the Micro8 an ideal device for  
applications where printed circuit board space is at a  
premium. The low profile (<1.1mm) of the Micro8 will allow  
it to fit easily into extremely thin application environments  
such as portable electronics and PCMCIA cards.  
Micro8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-1.7  
-1.4  
-9.6  
1.25  
10  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ -4.5V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
W
mW/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 12  
-5.0  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
V/ns  
°C  
TJ,TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient„  
Typ.  
–––  
Max.  
100  
Units  
°C/W  
RθJA  
All Micro8 Data Sheets reflect improved Thermal Resistance, Power and Current -Handling Ratings- effective  
only for product marked with Date Code 505 or later .  
8/25/97  
12345678

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IRF7504TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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IRF7104TRPBF INFINEON

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IRF7506TRPBF INFINEON

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