5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.7 |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF9953TRPBF | INFINEON |
功能相似  |
暂无描述 |
|
| IRF7504TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
暂无描述 |
|
| IRF7104TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
暂无描述 |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7506TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 30V, 0.27ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7506TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
|
| IRF7507 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=+-20V) |
|
| IRF7507PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRF7507PBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance |
|
| IRF7507TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel |
|
| IRF7507TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
|
| IRF7509 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=+-30V) |
|
| IRF7509PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
|
| IRF7509PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
