是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.7 |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF9953TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
暂无描述 | |
IRF7504TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
暂无描述 | |
IRF7104TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
暂无描述 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRF7506TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 30V, 0.27ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRF7506TRPBF | INFINEON |
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Generation V Technology | |
IRF7507 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=+-20V) | |
IRF7507PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRF7507PBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRF7507TR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 0.14ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel | |
IRF7507TRPBF | INFINEON |
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Generation V Technology | |
IRF7509 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=+-30V) | |
IRF7509PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET | |
IRF7509PBF-1 | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, |