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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7503TR
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IRF7503TR

更新时间： 2024-11-20 12:28:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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8页 117K
描述
Generation V Technology

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IRF7503TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：MICRO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.29
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：2.4 A
最大漏源导通电阻：0.135 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRF7503TR 数据手册

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PD - 9.1266G  
IRF7503  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N-Channel MOSFET  
l Very Small SOIC Package  
l Low Profile (<1.1mm)  
l Available in Tape & Reel  
l Fast Switching  
1
2
8
D 1  
S 1  
G 1  
VDSS = 30V  
7
D 1  
3
4
6
5
S 2  
G 2  
D 2  
D 2  
RDS(on) = 0.135Ω  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The new Micro8 package, with half the footprint area of the  
standard SO-8, provides the smallest footprint available in  
an SOIC outline. This makes the Micro8 an ideal device for  
applications where printed circuit board space is at a  
premium. The low profile (<1.1mm) of the Micro8 will allow  
it to fit easily into extremely thin application environments  
such as portable electronics and PCMCIA cards.  
Micro8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
2.4  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
1.9  
A
14  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
1.25  
10  
W
mW/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
5.0  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
V/ns  
°C  
TJ,TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambient„  
Typ.  
–––  
Max.  
100  
Units  
°C/W  
RθJA  
All Micro8 Data Sheets reflect improved Thermal Resistance, Power and Current -Handling Ratings- effective  
only for product marked with Date Code 505 or later .  
8/25/97  
12345678

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IRF7503TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7503PBF INFINEON

完全替代

 HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF7503TRPBF INFINEON

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 0.135ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IRF7503TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7503TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 0.135ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF7504 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm)
IRF7504PBF INFINEON

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IRF7504TR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 0.27ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF7504TRPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRF7506 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm)
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 		Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 30V, 0.27ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met
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