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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, MICRO-8, SOIC-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.18 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.135 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.39 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7503TR | INFINEON |
完全替代  |
Generation V Technology |
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| IRF7503TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 0.135ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7503TR | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
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| IRF7503TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 0.135ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF7504 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm) |
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| IRF7504PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7504TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 0.27ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7504TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRF7506 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.27ohm) |
|
| IRF7506PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET (VDSS=-30V , RDS(on)=O.27ohm) |
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| IRF7506TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 30V, 0.27ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7506TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
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