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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks | 风险等级： | 0.87 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 9.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 9.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 74 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF7493PBF | INFINEON |
类似代替  |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF7493 | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET Power MOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7494 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7494PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7494TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPower MOSFET |
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| IRF7495 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7495PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢Power MOSFET |
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| IRF7495TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 100V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRF7495TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses |
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| IRF7501 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm) |
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| IRF7501PBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology Ulrtra Low On-Resistance |
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| IRF7501TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
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