5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | LEAD FREE, SO-8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 6.89 |
| Samacsys Confidence： | 1 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 790948 | Samacsys Pin Count： | 8 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | SO-8 | Samacsys Released Date： | 2018-08-08 14:54:13 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 370 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | MS-012AA |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2.5 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRF7416QTR | INFINEON |
完全替代  |
Advanced Process Technology Low On-Resistance |
|
| IRF7303TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF7416TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7416PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| IRF7416QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF7416QTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
|
| IRF7416TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF7416TR | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
|
| IRF7416TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRF7416TRPBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, P-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET |
|
| IRF7418PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 55V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF741R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF742 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
