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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7416PBF
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IRF7416PBF

更新时间： 2024-01-31 01:25:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
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9页 202K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRF7416PBF 数据手册

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PD - 95137  
IRF7416PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l P-Channel Mosfet  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
A
D
1
2
3
4
8
S
S
VDSS = -30V  
7
D
6
5
S
G
D
D
RDS(on) = 0.02Ω  
l Lead-Free  
Top View  
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit,  
combined with the fast switching speed and ruggedized  
device design that HEXFET Power MOSFETs are well  
knownfor, providesthedesignerwithanextremelyefficient  
and reliable device for use in a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
multiple-die capability making it ideal in a variety of power  
applications. With these improvements, multiple devices  
can be used in an application with dramatically reduced  
board space. The package is designed for vapor phase,  
infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation  
of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount  
application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @ - 10V  
Pulsed Drain Current   
-10  
-7.1  
-45  
A
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
2.5  
W
mW/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
± 20  
370  
-5.0  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
EAS  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Junction and Storage Temperature Range  
mJ  
dv/dt  
TJ,TSTG  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambientꢀ  
–––  
50  
°C/W  
www.irf.com  
1
06/06/05  
1234567...9

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IRF7416PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF7416QTR INFINEON

完全替代

 Advanced Process Technology Low On-Resistance
IRF7303TRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF7416TRPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7416PBF-1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor
IRF7416QPBF INFINEON

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IRF7416QTRPBF INFINEON

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 		Transistor,
IRF7416TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF7416TR UMW

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 		种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
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